这门课前两章难度比较大，尤其是第二章，不过还好不怎么考，后三章是重点中的重点。

这次考试选择送分，填空复习好ppt及例题和作业题就没什么问题，简答题大题有点小难度。

回忆一下部分考题：

选择题基本送分，有点忘记考的啥了，可能考了第一章吧好像，不然后面都没有考到，貌似比较简单。

填空第一题几个空考了个调节带隙的混合晶体，计算带隙大约是多少吧好像，然后问怎么样掺哪个多，掺哪个少，你要是不会全写一个肯定能得一半分。第二题几个空考了那几个曲线图的走向，具体忘了哪个了，只记得这两道了。两道里面就好多个空了，基本也不难。

简答题第一题简述光注入的三个过程，后一半问的啥有点忘了；第二题好像是考察的金属和半导体的电阻率迁移率什么的关系？记不太清楚了，有点难度的这道题，需要知识掌握比较好；第三题是画出霍尔效应那个装置，标出测电压、电流的电极，问你为什么这样搞。

计算题第一题是三维的计算导带底、DOS之类的，具体记不清都有啥了，主要是考数学功底感觉。第二题是统计分布，巧解法（好像是一元二次方程，有点记不清楚了），有点难度，主要是题目的意思有点难理解到。第三题是金半接触，但是中间插了2d的绝缘，不知道该怎么处理了，不过列出公式就有分，解出来是附加分。

总体来讲，讲课本人听的不是很习惯，主要是期末对着ppt复习了一周，弄懂ppt每个地方。

给分挺好的，远超预期。